Perbedaan Transistor Bjt Dan Fet

Perbedaan Transistor Bjt Dan Fet – Transistor BJT dan FET merupakan 2 jenis transistor yang berbeda. Kedua jenis komponen ini di kenal sebagai komponen yang aktif.

BJT merupakan kepanjangan dari Bipolar Junction Transistor, sedangkan FET Field Effect Transistor.

BJTS dan FETS tersedia dalam bermacam paket berdasarkan tegangan, frekuensi operasi, peringkat daya, dan arus. Perangkat ini memungkinkan kita dalam tingkat kontrol yang lebih besar.

BJTS dan FET bisa di pakai sebagai sakelar dan penguat pada rangkaian listrik dan elektronik. Perbedaan utama BJT dan FET yakni dalam transistor efek medannya hanya muatan mayoritas yang mengalir, sedangkan BJT mayoritas dan minoritas muatan yang di bawa mengalir.

Perbedaan Transistor Bjt Dan Fet

Apa Itu Bjt?

Komponen semikonduktor ini di golongkan ke 2 jenis yakni PNP dan NPN. Fungsi utamanya yairu memperkuat arus. Fungsi rangkaian ini, transistor bisa di pakai sebagai switch dan amplifier.

Pemakaian BJT terdapat bermacam macam dan hampir mencakup seluruh perangkat elektronik seperti ponsel, pemancar radio, TV, komputer, amplifier audio, dan kontrol industri.

Karakteristik Bjt

  • Impedansi i/p BJT rendah jika impedansi o/p tinggi.
  • BJT merupakan perangkat bipolar karena arus akan mengalir karena kedua pembawa muatan.
  • Kapasitas termal BJT terbilang rendah karena arus yang keluar membalikkan arus saturasi.
  • Doping dalam terminal emitor max sedangkan di terminal basisnya rendah
  • Area terminal kolektor BJT lebih tinggi dari pada FET

Jenis Bjt

Transistor BJT di golongkan menjadi 2 jenis polaritas yakni PNP dan NPN.

Transistor Pnp

Dalam transistor PNP, dari 2 lapisan semikonduktor tipe p, hanya lapisan tipe n yang diapit.

Apa Itu Fet?

FET merupakan kepanjangan Field Effect Transistor dan di sebut juga transistor Unipolar. FET adalah salah satu jenis transistor yang dimana arus keluarannya dikendalikan medan listrik. Jenis dasar FET berbeda dari BJT.

FET terdiri tiga terminal yakni terminal drain, gate, dan source. Pembawa muatan transistor ini yaitu lubang atau elektron yang mengalir dari terminal sumber ke terminal pembuangan melewati saluran aktif. Aliran pembawa muatan bisa di kontrol oleh tegangan pada terminal sumber dan gerbang.

Konstruksi Fet

Field Effect Transistor di golongkan menjadi 2 jenis yakni JFET dan MOSFET. Kedua transistor ini mempunyai prinsip sama. Konstruksi JFET saluran P ditunjukkan di bawah. Dalam JFET saluran P, sebagian besar muatan mengalir dari sumber dan buang di saluran pembuangan. Terminal sumber dan saluran pembuangan di simbolkan S dan D.

Karakteristik Fet

  • FET lebih terlindungi dari radiasi.
  • FET komponen unipolar memberikan keseimbangan termal yang tinggi.
  • FET mempunyai noise yang rendah dan lebih cocok untuk input amplifier tingkat rendah.
  • FET memberikan keseimbangan termal yang tinggi dari pada BJT.

Kekurangan Dan Kelebihan Transistor Bjt Dan Fet

  • BJT mempunyai noise – FET lebih sedikit noise.
  • Perubahan frekuensi BJT berefek ke kinerjanya – FET Respons frekuensinya tinggi.
  • BJT tergantung pada suhu, FET memiliki Stabilitas panasnya lebih baik.
  • BJT lebih murah dari pada FET.
  • Transistor BJT mempunyai gain tegangan tinggi – FET mempunyai gain tegangan yang rendah.
  • BJT mempunyai gain arus lebih kecil – FET mempunyai gain arus tinggi.
  • BJT memakai lebih sedikit arus – FET memakai lebih sedikit voltase.
  • BJT berlaku bagi aplikasi arus rendah – FET berlaku bagi aplikasi tegangan rendah.
  • BJT mengkonsumsi daya yang tinggi – FET mengkonsumsi daya yang rendah.
  • BJT mempunyai koefisien suhu negatif – BJT mempunyai koefisien suhu positif.

Perbedaan Utama Bjt Dan Fet

Transistor persimpangan bipolar merupakan perangkat bipolar dalam transistor ini terdapat aliran pembawa muatan yang mayoritas dan minoritas.

Transistor efek medan merupakan perangkat unipolar dalam transistor ini, hanya pembawa muatan mayoritas yang mengali.

Dalam banyak aplikasi FET yang dipakai dari pada transistor persimpangan bipolar.

Transistor junction bipolar terdiri 3 terminal yakni emitor, basis, dan kolektor. Terminal ini di simbolkan dengan E, B, dan C.

FET terdiri 3 terminal yakni sumber, saluran, dan gerbang. Terminal ini di simbolkan dengan S, D, dan G.

Impedansi masukan FET lebih tinggi dari pada transistor sambungan bipolar.

Pembuatan FET bisa dilakukan dengan sangat kecil untuk lebih efisien dalam perancangan sirkuit komersial. Pada dasarnya FET tersedia dari ukuran kecil dan mereka memakai ruang yang rendah pada sebuah chip. Perangkat yang lebih kecil lebih nyaman dipakai dan ramah pemakaian. BJT lebih besar ketimbang FET.

FET khususnya MOSFET harganya lebih mahal dari pada BJT.

Perancang chip terbesar seperti Intel memakai FET untuk memberi daya kepada miliaran perangkat di seluruh dunia.

Sebuah BJT membutuhkan arus yang kecil untuk menyalakan transistor. Panas yang hilang dari bipolar menghentikan total jumlah transistor yang bisa dibuat pada chip.

BJT bertanggung jawab atas panas yang berlebih karena koefisien suhu yang negatif. FET mempunyai koefisien suhu +Ve untuk menghentikan panas yang berlebih.

BJT berlaku bagi aplikasi arus rendah. FETS berlaku bagi aplikasi tegangan rendah.

FET mempunyai gain yang rendah sampai sedang. BJT mempunyai frekuensi max lebih tinggi dan frekuensi cutoff yang tinggi.

Dari segi bentuk seseorang yang awam perbedaan fisik antara transistor biasa atau bjt dan fet sangat sedikit yakni sama sama mempunyai 3 kaki dan body yang terbuat dari plastik. karena itu pening untuk membaca nomer seri dari sebuah komponen.

Itu saja tentang Perbedaan Transistor Bjt Dan Fet, sekian dan terimaksih.

Check Also

Data dan Persamaan Transistor SS9014 NPN

Data dan Persamaan Transistor SS9014 NPN

Data dan Persamaan Transistor SS9014 NPN – Transistor Bipolar SS9014 memiliki Polaritas NPN, Transistor ini dapat …

Leave a Reply

Your email address will not be published.